Створено гнучкі та еластичні транзистори нового типу

гнучкі та еластичні транзистори

Міжнародна група дослідників, очолювана дослідниками зі Стенфордського університету, розробила гнучкі та еластичні транзистори нового типу, які можуть бути розтягнуті в два рази по відношенню до їх початкового розміру.

При цьому, такі транзистори зберігають практично незмінними їх електричну провідність та інші параметри, що дозволить створити на їх базі новий тип електронних пристроїв, закрепляемості безпосередньо на поверхні шкіри людини або на поверхні рухомих предметів.

Для виготовлення гнучкого і еластичного транзистора дослідники використовували напівпровідниковий полімер DPP-TT, шар якого було завдано на шар пружного полімеру SEBS. Така комбінація була обрана через те, що обидва цих полімеру, в силу особливостей їх структури не перемішуються навіть за рахунок дифузії в місці їх контакту.

На підставу полімеру SEBS через маску були нанесені ділянки полімеру DPP-TT і в результаті був отриманий еластичний тонкоплівковий транзистор, товщиною в кілька десятків нанометрів. Слід зазначити, що в процесі виготовлення таких транзисторів використовується тільки спеціалізований принтер, а сам процес проводиться без використання високих температур, як при виробництві звичайних транзисторів на базі кремнію.

Параметри еластичного транзистора перевірялися за допомогою спеціального механізму, здатного розтягнути плівку в різних напрямках з певним зусиллям. В ході цих перевірок було встановлено, що деякі із зразків транзисторів змогли без шкоди їх функціональності перенести подвійне розтягнення у всіх напрямках. При цьому, зниження провідності транзистора коливалося в межах від 0.59 до 0.55 см ^ 2 / В * с, а структура транзистора може витримати вигин полімерного підстави більш 100 раз. Для демонстрації можливостей застосування нових транзисторів дослідники виготовили щось на зразок еластичного бинта з простенької електронною схемою, який був обгорнутий навколо суглоба одного зі співробітників, який носив все це протягом досить довгого часу.

Дослідники відзначають, що такий же технологічний процес може бути використаний не тільки для виробництва транзисторів, за його допомогою можна виготовляти цілий ряд напівпровідникових приладів, з яких, в свою чергу, можна робити досить складні електронні пристрої. І зараз розроблена вченими технологія привернула до себе увагу з боку керівництва інституту Samsung Electronics Institute of Technology, яке побачило в усьому цьому шлях до створення носяться електронних пристроїв наступного покоління.